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SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

compliant

SI7960DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.2A
rds activé (max) à id, vgs 21mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 75nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

ZXMC3A17DN8TC
SI4816DY-T1-E3
SI4816DY-T1-E3
$0 $/morceau
BSO303PNTMA1
SI4340DY-T1-E3
SI4340DY-T1-E3
$0 $/morceau
SI4834CDY-T1-GE3
IRF9956PBF
AON5802A
ZXMN10A08DN8TC
FDD8424H-F085A

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