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SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

non conforme

SI7983DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.7A
rds activé (max) à id, vgs 17mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 600µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 74nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

AOC2804
PMGD370XN,115
PMGD370XN,115
$0 $/morceau
SP8M5FU6TB
SP8M5FU6TB
$0 $/morceau
SI4830CDY-T1-E3
2N7002DW L6327
SP8K1FU6TB
SP8K1FU6TB
$0 $/morceau
IRF7301PBF
FDMD8580
FDMD8580
$0 $/morceau
AO4828L
SI4532ADY-T1-E3

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