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SI8497DB-T2-E1

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SI8497DB-T2-E1

MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT

non conforme

SI8497DB-T2-E1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.23104 -
6,000 $0.21696 -
15,000 $0.20288 -
30,000 $0.19302 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 53mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1320 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-microfoot
paquet / étui 6-UFBGA
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Numéro de pièce associé

SI3139KL3-TP
SQ2361AEES-T1_BE3
FDD6796A
AON6278
AOTF7N70
DMP2035UFCL-7
PJC7412_R1_00001
MMSF7P03HDR2G
MMSF7P03HDR2G
$0 $/morceau
DMN3052LSS-13

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