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SIDR500EP-T1-RE3

SIDR500EP-T1-RE3

SIDR500EP-T1-RE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIDR500EP-T1-RE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.61000 $3.61
500 $3.5739 $1786.95
1000 $3.5378 $3537.8
1500 $3.5017 $5252.55
2000 $3.4656 $6931.2
2500 $3.4295 $8573.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 94A (Ta), 421A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 0.47mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 8960 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8DC
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

SI2337DS-T1-GE3
NTE2987
NTE2987
$0 $/morceau
FDB8445
FDB8445
$0 $/morceau
NVTYS010N04CLTWG
NVTYS010N04CLTWG
$0 $/morceau
IRLHM620TRPBF
FDD6778A
SISA14BDN-T1-GE3
RF6E045AJTCR
RF6E045AJTCR
$0 $/morceau
AOT16N50

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