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SIHA22N60E-GE3

SIHA22N60E-GE3

SIHA22N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

non conforme

SIHA22N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.08000 $4.08
500 $4.0392 $2019.6
1000 $3.9984 $3998.4
1500 $3.9576 $5936.4
2000 $3.9168 $7833.6
2500 $3.876 $9690
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1920 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 35W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

FDMS7692
FDMS7692
$0 $/morceau
IRFD210PBF
IRFD210PBF
$0 $/morceau
IXFN82N60P
IXFN82N60P
$0 $/morceau
SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3
$0 $/morceau
FDS2582
FDS2582
$0 $/morceau
IXTP24N65X2M
IXTP24N65X2M
$0 $/morceau
2SK1526-E
IRF710SPBF
IRF710SPBF
$0 $/morceau
IXTA76N25T-TRL
IXTA76N25T-TRL
$0 $/morceau

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