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SIHF640S-GE3

SIHF640S-GE3

SIHF640S-GE3

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

compliant

SIHF640S-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.10550 $1.1055
500 $1.094445 $547.2225
1000 $1.08339 $1083.39
1500 $1.072335 $1608.5025
2000 $1.06128 $2122.56
2500 $1.050225 $2625.5625
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1300 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NDD04N50ZT4G
NDD04N50ZT4G
$0 $/morceau
SCT4026DW7HRTL
STL210N4F7AG
STL210N4F7AG
$0 $/morceau
NTMT150N65S3HF
NTMT150N65S3HF
$0 $/morceau
NTD4809NH-35G
NTD4809NH-35G
$0 $/morceau
SQM10250E_GE3
SQM10250E_GE3
$0 $/morceau
NVTFS6H860NTAG
NVTFS6H860NTAG
$0 $/morceau
STW56N65DM2
STW56N65DM2
$0 $/morceau
SIHG17N80E-GE3
SIHG17N80E-GE3
$0 $/morceau
BSZ0704LSATMA1

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