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SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC

compliant

SIHG018N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $18.89000 $18.89
10 $17.16900 $171.69
100 $14.59350 $1459.35
500 $12.44738 $6223.69
418 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 99A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 23mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 228 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7612 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 524W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

SI2324DS-T1-BE3
G60N04K
G60N04K
$0 $/morceau
SUM110P08-11L-E3
STB14NM50N
STB14NM50N
$0 $/morceau
IXFX52N100X
IXFX52N100X
$0 $/morceau
IPAW60R180P7SXKSA1
SCT3105KW7TL
SCT3105KW7TL
$0 $/morceau
DMT3006LFVQ-13
SIHW61N65EF-GE3
BSL606SNH6327XTSA1

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