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SIHG080N60E-GE3

SIHG080N60E-GE3

SIHG080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,

compliant

SIHG080N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.23000 $5.23
500 $5.1777 $2588.85
1000 $5.1254 $5125.4
1500 $5.0731 $7609.65
2000 $5.0208 $10041.6
2500 $4.9685 $12421.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 35A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 80mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2557 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 227W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

R6507KNXC7G
R6507KNXC7G
$0 $/morceau
SIHB33N60EF-GE3
DI9435T
DI9435T
$0 $/morceau
FDB8444
FDB8444
$0 $/morceau
SIA466EDJ-T1-GE3
NTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1G
$0 $/morceau
FDD8870
FDD8870
$0 $/morceau
IXTP24P085T
IXTP24P085T
$0 $/morceau
SPP08N80C3XKSA1
IPD50R500CEBTMA1

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