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SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC

non conforme

SIHG14N50D-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.63000 $3.63
10 $3.24500 $32.45
100 $2.66090 $266.09
500 $2.15468 $1077.34
1,000 $1.81720 -
2,500 $1.72634 -
5,000 $1.66144 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 400mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1144 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 208W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

RM2N650IP
RM2N650IP
$0 $/morceau
IPB04N03LAT
IPI60R250CP
FCD260N65S3
FCD260N65S3
$0 $/morceau
NTTFS4840NTAG
NTTFS4840NTAG
$0 $/morceau
SIR186LDP-T1-RE3
PJQ5445_R2_00001
SI4425BDY-T1-GE3
RQ5C035BCTCL
RQ5C035BCTCL
$0 $/morceau
SIS476DN-T1-GE3

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