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SIHG21N80AE-GE3

SIHG21N80AE-GE3

SIHG21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC

compliant

SIHG21N80AE-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.01000 $5.01
500 $4.9599 $2479.95
1000 $4.9098 $4909.8
1500 $4.8597 $7289.55
2000 $4.8096 $9619.2
2500 $4.7595 $11898.75
525 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 800 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 17.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 235mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1388 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 32W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

IPN80R4K5P7ATMA1
IRF6648TRPBF
RM052N100DF
RM052N100DF
$0 $/morceau
MCG20P03-TP
MCG20P03-TP
$0 $/morceau
IRF3610STRLPBF
BSC252N10NSFGATMA1
RF4E110BNTR
RF4E110BNTR
$0 $/morceau
STL18N65M2
STL18N65M2
$0 $/morceau
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