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SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

compliant

SIHG33N60E-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $4.32762 $2163.81
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 33A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3508 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 278W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

NTB011N15MC
NTB011N15MC
$0 $/morceau
GT110N06S
GT110N06S
$0 $/morceau
IPI50N12S3L15AKSA1
IPB65R075CFD7AATMA1
IPT65R080CFD7XTMA1
R6006KNXC7G
R6006KNXC7G
$0 $/morceau
DMP3045LFVW-13
FDMS0308CS
IXTT140N075L2HV
IXTT140N075L2HV
$0 $/morceau

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