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SIHG35N60E-GE3

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SIHG35N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

non conforme

SIHG35N60E-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.38000 $7.38
10 $6.58900 $65.89
100 $5.40300 $540.3
500 $4.37510 $2187.55
1,000 $3.68984 -
2,500 $3.50535 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 32A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2760 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

CSD18511KTT
CSD18511KTT
$0 $/morceau
NVTYS007N04CTWG
NVTYS007N04CTWG
$0 $/morceau
SIS412DN-T1-GE3
STN1HNK60
STN1HNK60
$0 $/morceau
FDP038AN06A0
FDP038AN06A0
$0 $/morceau
DMP2305U-7
DMP2305U-7
$0 $/morceau
IPP052N06L3GXKSA1
DMN2022UFDF-13
IPA70R600P7SXKSA1

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