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SIHG35N60EF-GE3

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SIHG35N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

non conforme

SIHG35N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.81000 $7.81
10 $6.99700 $69.97
100 $5.78150 $578.15
500 $4.72834 $2364.17
1,000 $4.02620 -
2,500 $3.83716 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 32A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 97mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 134 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2568 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247AC
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

DMN2028UFDF-13
RW1C025ZPT2CR
IXFN32N100P
IXFN32N100P
$0 $/morceau
IRF100S201
FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
$0 $/morceau
SIHP065N60E-GE3
NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/morceau

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