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SIHP22N60EF-GE3

SIHP22N60EF-GE3

SIHP22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

compliant

SIHP22N60EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.66000 $3.66
500 $3.6234 $1811.7
1000 $3.5868 $3586.8
1500 $3.5502 $5325.3
2000 $3.5136 $7027.2
2500 $3.477 $8692.5
17 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 182mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1423 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 179W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

SIHJ10N60E-T1-GE3
FDS7760A
FCD600N60Z
FCD600N60Z
$0 $/morceau
AOD403
PSMN4R4-30MLC,115
SIHG105N60EF-GE3
NVMFS4C03NWFT1G
NVMFS4C03NWFT1G
$0 $/morceau
IRFHM9331TRPBF
IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
$0 $/morceau
IXTA96P085T-TRL
IXTA96P085T-TRL
$0 $/morceau

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