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SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

SIHP28N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB

non conforme

SIHP28N65EF-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.38000 $7.38
10 $6.61500 $66.15
100 $5.46600 $546.6
500 $4.47024 $2235.12
1,000 $3.80644 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 28A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 117mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 146 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3249 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220AB
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3
$0 $/morceau
IRFI9630GPBF
IRFI9630GPBF
$0 $/morceau
IXTA102N15T-TRL
IXTA102N15T-TRL
$0 $/morceau
SI3458BDV-T1-E3
SI3456DDV-T1-E3
DMP2305UVT-7
AO4419
NTD20N06L-001
NTD20N06L-001
$0 $/morceau
PMPB100ENEX
PMPB100ENEX
$0 $/morceau

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