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SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

non conforme

SIR770DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.55760 -
6,000 $0.53142 -
15,000 $0.51272 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A
rds activé (max) à id, vgs 21mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 900pF @ 15V
puissance - max 17.8W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

NTHD3102CT1G
NTHD3102CT1G
$0 $/morceau
ZXMC3A16DN8TA
SI4946BEY-T1-GE3
EMH2308-TL-E
EMH2308-TL-E
$0 $/morceau
SQJB80EP-T1_BE3
BUK9K13-60EX
BUK9K13-60EX
$0 $/morceau
IRF7389PBF
BSC0911NDATMA1
RF1S17N06L
RF1S17N06L
$0 $/morceau

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