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SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SOT-23

non conforme

SIR826ADP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.29970 -
6,000 $1.25460 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2800 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
paquet / étui PowerPAK® SO-8
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Numéro de pièce associé

NTHS4111PT1
NTHS4111PT1
$0 $/morceau
IPA80R1K2P7XKSA1
IRFP254PBF
IRFP254PBF
$0 $/morceau
DMP1012UCB9-7
TN2130K1-G
TN2130K1-G
$0 $/morceau
IRFR2905ZTRPBF
IRF640PBF
IRF640PBF
$0 $/morceau
BUK7Y153-100EX

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