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SIS932EDN-T1-GE3

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SIS932EDN-T1-GE3

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

non conforme

SIS932EDN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.25595 -
6,000 $0.24035 -
15,000 $0.22475 -
30,000 $0.21383 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1000pF @ 15V
puissance - max 2.6W (Ta), 23W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
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Numéro de pièce associé

IRF7103TRPBF
SI6562CDQ-T1-GE3
SI3900DV-T1-E3
SI3900DV-T1-E3
$0 $/morceau
PJQ4848P_R2_00001
AOSD21313C
AOC2870
PJQ5846_R2_00001
EMH2408-TL-H
EMH2408-TL-H
$0 $/morceau
SQ3585EV-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_BE3

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