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SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

non conforme

SIS990DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.43624 -
6,000 $0.41576 -
15,000 $0.40113 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12.1A
rds activé (max) à id, vgs 85mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 250pF @ 50V
puissance - max 25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
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Numéro de pièce associé

DMN3013LDG-7
NVMFD5C470NWFT1G
NVMFD5C470NWFT1G
$0 $/morceau
CCB021M12FM3
CCB021M12FM3
$0 $/morceau
AON6998
FMM150-0075X2F
FMM150-0075X2F
$0 $/morceau
SIZ328DT-T1-GE3
DMN32D4SDW-13
STS4DNF60L
STS4DNF60L
$0 $/morceau
DMNH4026SSDQ-13

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