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SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8

SOT-23

non conforme

SISA10DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.49200 -
6,000 $0.46890 -
15,000 $0.45240 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2425 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

2SK3707-1E
2SK3707-1E
$0 $/morceau
BUK752R7-60E,127
BUK752R7-60E,127
$0 $/morceau
FDMS0310AS
FDMS0310AS
$0 $/morceau
IPI040N06N3GXKSA1
DMP21D2UFA-7B
CSD23382F4
CSD23382F4
$0 $/morceau
RM75N60T2
RM75N60T2
$0 $/morceau
IRFR120TRLPBF-BE3
APT6010JFLL
RV3CA01ZPT2CL

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