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SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

SOT-23

non conforme

SISA96DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.17328 -
6,000 $0.16272 -
15,000 $0.15216 -
30,000 $0.14477 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1385 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 26.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

NTMFS5C604NLT1G-UIL3
NTMFS5C604NLT1G-UIL3
$0 $/morceau
IPW60R160P6FKSA1
AOB66920L
BSB280N15NZ3GXUMA1
IRFR9020PBF
IRFR9020PBF
$0 $/morceau
FQU2N60TU
QS6U22TR
QS6U22TR
$0 $/morceau
RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A
$0 $/morceau
STF14N80K5
STF14N80K5
$0 $/morceau

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