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SISH108DN-T1-GE3

SISH108DN-T1-GE3

SISH108DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH

compliant

SISH108DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.20090 -
6,000 $0.18865 -
15,000 $0.17641 -
30,000 $0.16784 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.9mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SH
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Numéro de pièce associé

DMN65D8LV-7
DMN65D8LV-7
$0 $/morceau
P3M17040K4
APT10021JFLL
MSC100SM70JCU3
BUK9609-40B,118
AUIRLR2905ZTRL
FDY300NZ
FDY300NZ
$0 $/morceau
SUD23N06-31L-T4-E3
PJQ5465A_R2_00001
IPU60R1K4C6

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