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SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK

compliant

SISHA10DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 25A (Ta), 30A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2425 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8SH
paquet / étui PowerPAK® 1212-8SH
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Numéro de pièce associé

NTD4804NT4G
NTD4804NT4G
$0 $/morceau
PMPB23XNEZ
PMPB23XNEZ
$0 $/morceau
FDMS86300
FDMS86300
$0 $/morceau
NX6008NBKR
NX6008NBKR
$0 $/morceau
SQJ170ELP-T1_GE3
BSP125H6327XTSA1
BSC018NE2LSIATMA1
IPA60R230P6XKSA1
SQM120P04-04L_GE3

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