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SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S

compliant

SISS26DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.79704 -
6,000 $0.75962 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 60A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.6V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1710 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 57W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8S
paquet / étui PowerPAK® 1212-8S
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Numéro de pièce associé

R8002KNXC7G
R8002KNXC7G
$0 $/morceau
IRFR120TRPBF
IRFR120TRPBF
$0 $/morceau
STW23N80K5
STW23N80K5
$0 $/morceau
HUFA75852G3
NTMFS4C03NT3G
NTMFS4C03NT3G
$0 $/morceau
IXTQ18N60P
IXTQ18N60P
$0 $/morceau
FCP380N60
FCP380N60
$0 $/morceau
DMP3160LQ-7
DMP3160LQ-7
$0 $/morceau
C2M0025120D
C2M0025120D
$0 $/morceau
NTLJS3A18PZTWG
NTLJS3A18PZTWG
$0 $/morceau

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