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SQ1912AEEH-T1_GE3

SQ1912AEEH-T1_GE3

SQ1912AEEH-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6

non conforme

SQ1912AEEH-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.17328 -
6,000 $0.16272 -
15,000 $0.15216 -
30,000 $0.14477 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 800mA (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.25nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 27pF @ 10V
puissance - max 1.5W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
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Numéro de pièce associé

DMG6898LSDQ-13
MCQ4953-TP
MCQ4953-TP
$0 $/morceau
FDMD8260LET60
FDMD8260LET60
$0 $/morceau
DMC2991UDJ-7
NTQD6968R2
NTQD6968R2
$0 $/morceau
ALD110908ASAL
ZXMHC10A07N8TC
CSD87330Q3D
CSD87330Q3D
$0 $/morceau
CSD87501LT
CSD87501LT
$0 $/morceau
MMFT8472DW
MMFT8472DW
$0 $/morceau

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