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SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3

SQ1912EH-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

compliant

SQ1912EH-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.13788 -
6,000 $0.12996 -
15,000 $0.12204 -
30,000 $0.11254 -
75,000 $0.10858 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 800mA (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.15nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 75pF @ 10V
puissance - max 1.5W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-70-6
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Numéro de pièce associé

MIC94051BM4TR
DMC3071LVT-13
SI4532CDY-T1-GE3
HP4936DY
DMC2450UV-7
DMC2450UV-7
$0 $/morceau
ECH8602M-TL-H
ECH8602M-TL-H
$0 $/morceau
TD9944TG-G
TD9944TG-G
$0 $/morceau
2N7002DW-7-F
SQJ910AEP-T1_GE3

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