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SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

non conforme

SQJ910AEP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.55104 -
6,000 $0.52517 -
15,000 $0.50669 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 7mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 39nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1869pF @ 15V
puissance - max 48W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

SQJ264EP-T1_GE3
SQJQ906E-T1_GE3
SIZ340ADT-T1-GE3
TT8K2TR
TT8K2TR
$0 $/morceau
DMG1023UVQ-13
2SK2530-TL-E-ON
2SK2530-TL-E-ON
$0 $/morceau
SI7904BDN-T1-E3
QH8MA3TCR
QH8MA3TCR
$0 $/morceau

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