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SQ4532AEY-T1_GE3

SQ4532AEY-T1_GE3

SQ4532AEY-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

compliant

SQ4532AEY-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.35340 -
5,000 $0.33060 -
12,500 $0.31920 -
25,000 $0.30780 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
puissance - max 3.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SH8J66TB1
SH8J66TB1
$0 $/morceau
SI1902CDL-T1-GE3
BUK9K29-100E,115
IRF7304TRPBF
PMDPB30XNZ
PMDPB30XNZ
$0 $/morceau
BSM300D12P2E001
SI7942DP-T1-GE3
DMTH4007SPD-13
IRFN214BTA

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