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SQA410EJ-T1_GE3

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SQA410EJ-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6

non conforme

SQA410EJ-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.24061 -
6,000 $0.22594 -
15,000 $0.21128 -
30,000 $0.20102 -
200 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 28mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 485 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 13.6W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single
paquet / étui PowerPAK® SC-70-6
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Numéro de pièce associé

AOWF600A60
PMZB950UPEYL
PMZB950UPEYL
$0 $/morceau
RM1505S
RM1505S
$0 $/morceau
DMT10H025LK3-13
FDMC86102
FDMC86102
$0 $/morceau
DMN2024U-13
DMN2024U-13
$0 $/morceau
IXTT16P60P
IXTT16P60P
$0 $/morceau
DMN95H8D5HCT
FDD3672
FDD3672
$0 $/morceau
AOB2910L

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