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SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

non conforme

SQJ200EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A, 60A
rds activé (max) à id, vgs 8.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 975pF @ 10V
puissance - max 27W, 48W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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Numéro de pièce associé

BSC0921NDIATMA1
FDMB2308PZ
FDMB2308PZ
$0 $/morceau
IRF7389TRPBF
DMN3016LDN-7
FDS8936A
DMN53D0LDWQ-7
EM6K34T2CR
EM6K34T2CR
$0 $/morceau
IRL6372TRPBF
CSD87334Q3D
CSD87334Q3D
$0 $/morceau
ALD110814PCL

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