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SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

compliant

SQJ204EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.58056 -
6,000 $0.55330 -
15,000 $0.53383 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc), 60A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
puissance - max 27W (Tc), 48W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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Numéro de pièce associé

BSG0811NDATMA1
ALD212900SAL
SIB912DK-T1-GE3
MSCSM120HM16CT3AG
DMC1015UPD-13
CSD87503Q3E
CSD87503Q3E
$0 $/morceau
DMP2200UDW-13
DMC2020USD-13
SI4532DY
SI4532DY
$0 $/morceau

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