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SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

non conforme

SQJ262EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.53136 -
6,000 $0.50641 -
15,000 $0.48859 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A (Tc), 40A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
puissance - max 27W (Tc), 48W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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Numéro de pièce associé

FDC8602
FDC8602
$0 $/morceau
QS6J1TR
QS6J1TR
$0 $/morceau
DMN3061SVT-13
NTGD3133PT1G
NTGD3133PT1G
$0 $/morceau
PJS6835_S2_00001
DF23MR12W1M1B11BPSA1
FDPC1002S
APTC60TAM24TPG
SI3134KDW-TP

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