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SQJ560EP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

non conforme

SQJ560EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.58056 -
6,000 $0.55330 -
15,000 $0.53383 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc), 18A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1650pF @ 25V
puissance - max 34W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

IRF9358TRPBF
CPH6424-TL-E
CPH6424-TL-E
$0 $/morceau
FDC6401N
FDC6401N
$0 $/morceau
SP8K2TB
SP8K2TB
$0 $/morceau
NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G
$0 $/morceau
DMN2991UDA-7B
FDPC8013S
FDPC8013S
$0 $/morceau
IRL6297SDTRPBF
SI7942DP-T1-E3
SI7942DP-T1-E3
$0 $/morceau
APTM50AM38STG

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