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SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

compliant

SQJ912AEP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.55104 -
6,000 $0.52517 -
15,000 $0.50669 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 40V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A
rds activé (max) à id, vgs 9.3mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1835pF @ 20V
puissance - max 48W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

SI1553DL-T1
SI1553DL-T1
$0 $/morceau
IRFH4257DTRPBF
DMN32D2LV-7
DMN32D2LV-7
$0 $/morceau
AO8804L
HP8S36TB
HP8S36TB
$0 $/morceau
SI7940DP-T1-GE3
SI4200DY-T1-GE3
SI6966EDQ-T1-E3
APTM08TDUM04PG
SI4388DY-T1-GE3

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