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SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

compliant

SQJ956EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.43296 -
6,000 $0.41263 -
15,000 $0.39811 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 23A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1395pF @ 30V
puissance - max 34W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

UT6MA2TCR
UT6MA2TCR
$0 $/morceau
APTC60DSKM24T3G
AON3816
SI4948BEY-T1-GE3
FDG6303N
FDG6303N
$0 $/morceau
WAB300M12BM3
WAB300M12BM3
$0 $/morceau
PJQ2815_R1_00001
DMC2710UDWQ-7
NTMD6601NR2G
NTMD6601NR2G
$0 $/morceau

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