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SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

compliant

SQJ968EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 23.5A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18.5nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 714pF @ 30V
puissance - max 42W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TA)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

2N7002PV,115
2N7002PV,115
$0 $/morceau
DMT10H017LPD-13
PMDPB56XNEAX
PMDPB56XNEAX
$0 $/morceau
SI7998DP-T1-GE3
SI5504BDC-T1-E3
MCH6605-TL-E
MCH6605-TL-E
$0 $/morceau
NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG
$0 $/morceau
2N7002DWH6327XTSA1
DF11MR12W1M1PB11BPSA1

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