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SQM50P03-07_GE3

SQM50P03-07_GE3

SQM50P03-07_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263

compliant

SQM50P03-07_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $1.20965 $967.72
1,600 $1.11012 -
2,400 $1.03356 -
5,600 $0.99528 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 50A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5380 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TA)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263 (D²Pak)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

DMT6006LSS-13
IPB180N04S302ATMA1
STF32NM50N
STF32NM50N
$0 $/morceau
SIDR622DP-T1-RE3
BSP315PH6327XTSA1
NTMFS4C03NT1G
NTMFS4C03NT1G
$0 $/morceau
PMZB390UNEYL
PMZB390UNEYL
$0 $/morceau
AIMW120R045M1XKSA1
IPB180N06S4H1ATMA2

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