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SQS850EN-T1_GE3

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SQS850EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8

non conforme

SQS850EN-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.41697 -
6,000 $0.38991 -
15,000 $0.37638 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2021 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 33W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8
paquet / étui PowerPAK® 1212-8
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Numéro de pièce associé

RM21N650TI
RM21N650TI
$0 $/morceau
IPP60R125CFD7XKSA1
FQA65N20
FQA65N20
$0 $/morceau
IPP120N06S403AKSA1
STF16N60M6
STF16N60M6
$0 $/morceau
STP4NK80Z
STP4NK80Z
$0 $/morceau
IXFR20N80P
IXFR20N80P
$0 $/morceau
IPA65R045C7XKSA1

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