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VQ3001P-E3

VQ3001P-E3

VQ3001P-E3

MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP

non conforme

VQ3001P-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N and 2 P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 850mA, 600mA
rds activé (max) à id, vgs 1Ohm @ 1A, 12V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 110pF @ 15V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage -
paquet / étui -
package d'appareils du fournisseur -
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Numéro de pièce associé

GWM100-01X1-SLSAM
GWM100-01X1-SLSAM
$0 $/morceau
DMP2160UFDB-7R
APTM50DHM65T3G
FDN5632N
IRFHM8363TR2PBF
PMV30XPEA,215-NXP
PMV30XPEA,215-NXP
$0 $/morceau
PMDPB760ENX
PMDPB760ENX
$0 $/morceau
APTM120A80FT1G
APTM50DSKM65T3G
GWM180-004X2-SMD
GWM180-004X2-SMD
$0 $/morceau

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