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E3M0120090J

E3M0120090J

E3M0120090J

Wolfspeed, Inc.

900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET

compliant

E3M0120090J Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $11.70000 $11.7
500 $11.583 $5791.5
1000 $11.466 $11466
1500 $11.349 $17023.5
2000 $11.232 $22464
2500 $11.115 $27787.5
1651 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 900 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V
rds activé (max) à id, vgs 155mOhm @ 15A, 15V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 3mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 15 V
vgs (max) +15V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 414 pF @ 600 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263-7
paquet / étui TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Numéro de pièce associé

AOL1454
BSP126,135
BSP126,135
$0 $/morceau
NVTFS004N04CTAG
NVTFS004N04CTAG
$0 $/morceau
IPC70N04S54R6ATMA1
NTMFS5C404NLTT1G
NTMFS5C404NLTT1G
$0 $/morceau
AONR21321
STL58N3LLH5
STL58N3LLH5
$0 $/morceau
SI3458BDV-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3

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