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FDD6676S

FDD6676S

FDD6676S

N-CHANNEL POWER MOSFET

SOT-23

FDD6676S Fiche de données

non conforme

FDD6676S Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
10684 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 78A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 5 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4770 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.3W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

HUF75645S3ST
HUF75645S3ST
$0 $/morceau
IXTA96P085T
IXTA96P085T
$0 $/morceau
IXTN8N150L
IXTN8N150L
$0 $/morceau
IRF7855TRPBF
IXFA22N65X2
IXFA22N65X2
$0 $/morceau
FDBL0200N100
FDBL0200N100
$0 $/morceau
EPC2214
EPC2214
$0 $/morceau
DMN6140L-13
DMN6140L-13
$0 $/morceau
ISC011N03L5SATMA1
DMP3007LK3-13

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