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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Obsolete |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 20 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 4.7A (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | - |
rds activé (max) à id, vgs | 50mOhm @ 2A, 4.5V |
vgs(th) (max) à id | 1V @ 250µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 9.8 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | - |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 685 pF @ 10 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 1.7W (Ta) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | 4-WLCSP (1x1) |
paquet / étui | 4-XFBGA, WLCSP |
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