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DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

compliant

DMN3190LDW-7 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.09600 -
6,000 $0.08720 -
15,000 $0.07840 -
30,000 $0.07400 -
75,000 $0.06652 -
150,000 $0.06432 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1A
rds activé (max) à id, vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 87pF @ 20V
puissance - max 320mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SOT-363
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Numéro de pièce associé

BSC0910NDIATMA1
HUFA76504DK8T
DMN1150UFL3-7
DMN2990UDJ-7
BSC0993NDATMA1
MSCSM120AM08CT3AG
FDR8508P
SI4590DY-T1-GE3
SQJB00EP-T1_BE3
EM6J1T2R
EM6J1T2R
$0 $/morceau

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