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DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

non conforme

DMTH6016LSDQ-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.56550 -
5,000 $0.54048 -
12,500 $0.52260 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.6A (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 19.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 864pF @ 30V
puissance - max 1.4W, 1.9W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SO
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Numéro de pièce associé

SI7949DP-T1-GE3
NDS8858H
SI7223DN-T1-GE3
IPG20N04S4L11AATMA1
NVJD4401NT1G
NVJD4401NT1G
$0 $/morceau
APTM100H45STG
MSCC60VRM99CT3AG
DMN61D9UDW-13
ISL6605CR-TR5151
ISL6605CR-TR5151
$0 $/morceau
SI7913DN-T1-GE3

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