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SI7913DN-T1-GE3

SI7913DN-T1-GE3

SI7913DN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8

non conforme

SI7913DN-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.84005 -
6,000 $0.81090 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5A
rds activé (max) à id, vgs 37mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.3W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® 1212-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
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Numéro de pièce associé

APTM10HM19FT3G
SI7994DP-T1-GE3
EPC2102
EPC2102
$0 $/morceau
NTLTD7900ZR2G
NTLTD7900ZR2G
$0 $/morceau
SI1922EDH-T1-BE3
DMN2041UVT-13
QS8K13TCR
QS8K13TCR
$0 $/morceau
FDY4001CZ
SI4946BEY-T1-E3

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