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SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

SOT-23

non conforme

SI4946BEY-T1-E3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.57761 -
5,000 $0.55049 -
12,500 $0.53112 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.5A
rds activé (max) à id, vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 840pF @ 30V
puissance - max 3.7W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SQ4532AEY-T1_GE3
SH8J66TB1
SH8J66TB1
$0 $/morceau
SI1902CDL-T1-GE3
BUK9K29-100E,115
IRF7304TRPBF
PMDPB30XNZ
PMDPB30XNZ
$0 $/morceau
BSM300D12P2E001
SI7942DP-T1-GE3

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