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APTM10HM19FT3G

APTM10HM19FT3G

APTM10HM19FT3G

MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3

non conforme

APTM10HM19FT3G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
100 $52.05740 $5205.74
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 4 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 70A
rds activé (max) à id, vgs 21mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 200nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5100pF @ 25V
puissance - max 208W
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui SP3
package d'appareils du fournisseur SP3
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Numéro de pièce associé

SI7994DP-T1-GE3
EPC2102
EPC2102
$0 $/morceau
NTLTD7900ZR2G
NTLTD7900ZR2G
$0 $/morceau
SI1922EDH-T1-BE3
DMN2041UVT-13
QS8K13TCR
QS8K13TCR
$0 $/morceau
FDY4001CZ
SI4946BEY-T1-E3

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