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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | 4 N-Channel (Half Bridge) |
fonctionnalité FET | Standard |
Tension drain-source (vdss) | 100V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 70A |
rds activé (max) à id, vgs | 21mOhm @ 35A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 4V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 200nC @ 10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 5100pF @ 25V |
puissance - max | 208W |
température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Chassis Mount |
paquet / étui | SP3 |
package d'appareils du fournisseur | SP3 |
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