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QS8K13TCR

QS8K13TCR

QS8K13TCR

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

QS8K13TCR Fiche de données

non conforme

QS8K13TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.47180 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A
rds activé (max) à id, vgs 28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 390pF @ 10V
puissance - max 550mW
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

FDY4001CZ
SI4946BEY-T1-E3
SQ4532AEY-T1_GE3
SH8J66TB1
SH8J66TB1
$0 $/morceau
SI1902CDL-T1-GE3
BUK9K29-100E,115
IRF7304TRPBF
PMDPB30XNZ
PMDPB30XNZ
$0 $/morceau

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