Welcome to ichome.com!
| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| fonctionnalité FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (vdss) | 60V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 23A |
| rds activé (max) à id, vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 7mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 6.8nC @ 5V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 830pF @ 30V |
| puissance - max | - |
| température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | Die |
| package d'appareils du fournisseur | Die |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.