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DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

non conforme

DMN61D9UDW-13 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
10,000 $0.08624 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 350mA
rds activé (max) à id, vgs 2Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.4nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 28.5pF @ 30V
puissance - max 320mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SOT-363
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Numéro de pièce associé

ISL6605CR-TR5151
ISL6605CR-TR5151
$0 $/morceau
SI7913DN-T1-GE3
APTM10HM19FT3G
SI7994DP-T1-GE3
EPC2102
EPC2102
$0 $/morceau
NTLTD7900ZR2G
NTLTD7900ZR2G
$0 $/morceau
SI1922EDH-T1-BE3
DMN2041UVT-13
QS8K13TCR
QS8K13TCR
$0 $/morceau

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